P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA PPPM = 400 W PM(AV) = 1.0 W Tjmax = 150C SMD Transient Voltage Suppressor Diodes SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden VWM = 5.0 ... 170 V VBR = 6.8 ... 200 V Version 2019-09-26 2.2 0.2 2.1 0.2 5 0.2 0.15 Type Typ 1.50.1 2.7 0.2 1 0.3 Dimensions - Mae [mm] Type Code = VWM. Cathode mark only at unidirectional types Typ-Code = VWM. Kathoden-Markierung nur bei unidirektionalen Typen Typische Anwendungen Schutz gegen Uberspannung ESD-Schutz Freilauf-Dioden Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1) Features Uni- and Bidirectional versions Peak pulse power of 400 W (10/1000 s waveform) Very fast response time Further available: P4SMA220...550CA having VBR = 220 ... 550 V Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Uni- und Bidirektionale Versionen 400 W Impuls-Verlustleistung (10/1000 s Strom-Impuls) Sehr schnelle Ansprechzeit Auch erhaltlich: P4SMA220...550CA mit VBR = 220 ... 550V Konform zu RoHS, REACH, Pb Konfliktmineralien 1) RoHS EE WE 4.5 0.3 Typical Applications Over-voltage protection ESD protection Free-wheeling diodes Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1) EL V SMA ~ DO-214AC Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 7500 / 13" Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehausematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lot- und Einbaubedingungen MSL = 1 For bidirectional types (suffix "C" or "CA"), electrical characteristics apply in both directions. Fur bidirektionale Dioden (mit Suffix "C" oder "CA") gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen. Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Peak pulse power dissipation (10/1000 s waveform) Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 s) TA = 25C PPPM 400 W 3) Steady state power dissipation - Verlustleistung im Dauerbetrieb TT = 75C PM(AV) 1W Peak forward surge current Stostrom in Fluss-Richtung 60 Hz (8.3 ms) Half sine-wave Sinus-Halbwelle Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur IFSM 40 A 4) Tj TS -50...+150C -50...+150C Characteristics Max. instantaneous forward voltage Augenblickswert der Durchlass-Spannung Kennwerte VBR 200 V VF < 3.5 V 4) Typ. thermal resistance junction to ambient - Typ. Warmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Typ. thermal resistance junction to terminal - Typ. Warmewiderstand Sperrschicht-Anschluss RthA RthT 70 K/W 5) 30 K/W 1 2 3 4 5 IF = 25 A Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25C unless otherwise specified - TA = 25C wenn nicht anders angegeben Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t) Hochstzulassiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t) Unidirectional diodes only - Nur fur unidirektionale Dioden Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA Characteristics (Tj = 25C) Type Typ P4SMAJ ... Kennwerte (Tj = 25C) Stand-off Max. rev. current Breakdown voltage at IT = 1 mA Max. clamping voltage voltage Max. Sperrstrom Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA Max. Begrenzer-Spannung Sperrspannung at / bei VWM 1) *) at / bei IT = 10 mA at / bei IPPM (10/1000 s) unidirectional bidirectional VWM [V] ID [A] VBR min [V] VBR max [V] VC [V] IPPM [A] 5.0 5.0C 5.0 800 6.4 *) 7.8 *) 10.3 38.8 5.0A 5.0CA 5.0 800 6.4 *) 7.0 *) 9.2 43.5 6.5 6.5C 6.5 500 7.2 *) 8.8 *) 12.3 32.5 6.5A 6.5CA 6.5 500 7.2 *) 8.0 *) 11.2 35.7 7.0 7.0C 7.0 200 7.8 *) 9.5 *) 13.3 30.1 7.0A/-AQ 7.0CA 7.0 200 7.8 *) 8.7 *) 12.0 33.3 7.5 7.5C 7.5 100 8.3 10.1 14.3 28.0 7.5A 7.5CA 7.5 100 8.3 9.2 12.9 31.0 8.0 8.0C 8.0 50 8.9 10.9 15.0 26.7 8.0A 8.0CA 8.0 50 8.9 9.9 13.6 29.4 8.5 8.5C 8.5 10 9.4 11.5 15.9 25.2 8.5A 8.5CA 8.5 10 9.4 10.4 14.4 27.8 9.0 9.0C 9.0 5 10.0 12.2 16.9 23.7 9.0A 9.0CA/-AQ 9.0 5 10.0 11.1 15.4 26.0 10 10C 10 5 11.1 13.5 18.8 21.3 10A/-AQ 10CA/-AQ 10 5 11.1 12.3 17.0 23.5 11 11C 11 5 12.2 14.9 20.1 19.9 11A/-AQ 11CA/-AQ 11 5 12.2 13.5 18.2 22.0 12 12C 12 5 13.3 16.2 22.0 18.2 12A/-Q/-AQ 12CA/-Q/-AQ 12 5/1/1 13.3 14.8 19.9 20.1 13 13C 13 5 14.4 17.6 23.8 16.8 13A/-AQ 13CA/-Q/-AQ 13 5 14.4 16.0 21.5 18.6 14 14C 14 5 15.6 19.0 25.8 15.5 14A/-AQ 14CA/-AQ 14 5 15.6 17.3 23.2 17.2 15 15C 15 5 16.7 20.4 26.9 14.9 15A/-Q/-AQ 15CA/-AQ 15 5 16.7 18.6 24.4 16.4 16 16C 16 5 17.8 21.7 28.8 13.9 16A/-AQ 16CA/-AQ 16 5 17.8 19.8 26.0 15.4 17 17C 17 5 18.9 23.1 30.5 13.1 17A/-AQ 17CA/-AQ 17 5 18.9 21.0 27.6 14.5 18 18C 18 5 20.0 24.4 32.2 12.4 18A/-Q/-AQ 18CA/-AQ 18 5 20.0 22.2 29.2 13.7 20 20C 20 5 22.2 27.1 35.8 11.2 20A/-AQ 20CA/-AQ 20 5 22.2 24.6 32.4 12.3 22 22C 22 5 24.4 29.8 39.4 10.2 22A/-AQ 22CA/-AQ 22 5 24.4 27.1 35.5 11.3 24 24C 24 5 26.7 32.6 43.0 9.3 24A/-AQ 24CA/-AQ 24 5 26.7 29.6 38.9 10.3 26 26C 26 5 28.9 35.3 46.6 8.6 26A/-AQ 26CA/-AQ 26 5/1 28.9 32.1 42.1 9.5 28 28C 28 5 31.1 37.9 50.0 8.0 28A/-AQ 28CA/-Q/-AQ 28 5 31.1 34.5 45.4 8.8 30 30C 30 5 33.3 40.1 53.5 7.5 30A/-AQ 30CA/-Q/-AQ 30 5 33.3 36.9 48.4 8.3 33 33C 33 5 36.7 44.8 59.0 6.8 33A/-Q/-AQ 33CA/-Q/-AQ 33 5 36.7 40.7 53.3 7.5 36 36C 36 5 40.0 48.4 64.3 6.2 1 2 For bi-directional types having VWM 10V, the reverse current limit is doubled Bidirektionale Typen mit VWM 10V haben die doppelte Sperrstromgrenze http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA Characteristics (Tj = 25C) Type Typ P4SMAJ ... Kennwerte (Tj = 25C) Stand-off Max. rev. current Breakdown voltage at IT = 1 mA Max. clamping voltage voltage Max. Sperrstrom Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA Max. Begrenzer-Spannung Sperrspannung at / bei VWM ) *) at / bei IT = 10 mA at / bei IPPM (10/1000 s) unidirectional bidirectional VWM [V] ID [A] VBR min [V] VBR max [V] VC [V] IPPM [A] 36A/-Q/-AQ 36CA/-Q/-AQ 36 5 40.0 44.4 58.1 6.9 40 40C 40 5 44.4 54.2 71.4 5.6 40A/-Q/-AQ 40CA/-Q/-AQ 40 5/5/0.2 44.4 49.3 64.5 6.2 43 43C 43 5 47.8 58.3 76.7 5.2 43A/Q/-AQ 43CA/-Q/-AQ 43 5 47.8 53.1 69.4 5.8 45 45C 45 5 50.0 61.0 80.3 5.0 45A/-AQ 45CA/-AQ 45 5 50.0 55.5 72.7 5.5 48 48C 48 5 53.3 65.0 85.5 4.7 48A/-AQ 48CA/-AQ 48 5 53.3 59.2 77.4 5.2 51 51C 51 5 56.7 69.2 91.1 4.4 51A/-AQ 51CA/-AQ 51 5 56.7 62.9 82.4 4.9 54 54C 54 5 60.0 73.2 96.3 4.2 54A/-AQ 54CA/-AQ 54 5 60.0 66.6 87.1 4.6 58 58C 58 5 64.4 78.6 103 3.9 58A/-AQ 58CA/-AQ 58 5 64.4 71.5 93.6 4.3 60 60C 60 5 66.7 81.4 107 3.7 60A/-AQ 60CA/-AQ 60 5 66.7 74.0 96.8 4.1 64 64C 64 5 71.1 86.7 114 3.5 64A/-AQ 64CA/-AQ 64 5 71.1 78.9 103 3.9 70 70C 70 5 77.8 94.9 125 3.2 70A/-AQ 70CA/-AQ 70 5 77.8 86.4 113 3.5 75 75C 75 5 83.3 102 134 3.0 75A/-AQ 75CA/-AQ 75 5 83.3 92.5 121 3.3 78 78C 78 5 86.7 106 139 2.9 78A/-AQ 78CA/-AQ 78 5 86.7 96.2 126 3.2 85 85C 85 5 94.4 115 151 2.6 85A/-AQ 85CA/-AQ 85 5 94.4 105 137 2.9 90 90C 90 5 100 122 160 2.5 90A/-Q/-AQ 90CA 90 5 100 111 146 2.7 100 100C 100 5 111 135 179 2.2 100A 100CA 100 5 111 123 162 2.5 110 110C 110 5 122 149 196 2.0 110A 110CA 110 5 122 135 177 2.3 120 120C 120 5 133 162 214 1.9 120A 120CA 120 5 133 148 193 2.1 130 130C 130 5 144 176 231 1.7 130A 130CA/-Q 130 5 144 160 209 1.9 150 150C 150 5 167 204 268 1.5 150A 150CA 150 5 167 185 243 1.6 160 160C 160 5 178 217 287 1.4 160A 160CA 160 5 178 198 259 1.5 170 170C 170 5 189 231 304 1.3 170A 170CA 170 5 189 210 275 1.5 P4SMA220 ... P4SMA550CA (c) Diotec Semiconductor AG VWM = 175 ... 495V http://www.diotec.com/ 3 P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA 120 [%] tr = 10 s 100 100 [%] 80 80 60 60 40 40 IPP IPP 20 20 PPP PPP 0 0 0 TA 50 100 150 [C] IPPM/2 PPPM/2 tP 0 t 1 2 3 [ms] 4 10/1000s - pulse waveform 10/1000s - Impulsform 1 Peak pulse power/current vs. ambient temperature ) Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp.1) 1 104 102 unidir. bidir. VR = 4 V [pF] [kW] 10 3 10 1 PPP 102 0.1 0.1s tP 1s 10s 100s 1ms 10ms Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form) Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls) Cj 10 1 VBR 10 100 [V] Junction capacitance vs. breakdown voltage (typical) Sperrschichtkapazitat in Abh. v. d. Abbruchspg. (typ.) TVS diodes having breakdown voltage VBR = 220 ... 550 V: please refer to datasheet P4SMA220 ... 550CA TVS-Dioden mit Abbruchspannung VBR = 220 ... 550 V: siehe Datenblatt P4SMA220 ... 550CA Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 4 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG