LL4148, LL4150, LL4151, LL4448
LL4148, LL4150, LL4151, LL4448
Ultrafast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes
Ultraschnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2013-04-30
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
150...300 mA
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...100 V
Glass case MiniMELF
Glasgehäuse MiniMELF
SOD-80C
Weight approx.
Gewicht ca.
0.04 g
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
Type
Typ
Reverse voltage
Sperrspannung
VR [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
LL4148 75 100
LL4150 50 50
LL4151 50 75
LL4448 75 100
Type
Typ
LL4148
LL4448
LL4150 LL4151
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
IFAV 150 mA 2) 300 mA 2) 200 mA 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM 500 mA 2) 600 mA 2) 500 mA 2)
Non-repetitive peak forward current
Stoßstrom-Grenzwert
tp = 1 µs
Tj = 25°C
IFSM 2000 mA 4000 mA 2000 mA
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
Ptot 500 mW 2)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+200°C
-50...+200°C
2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminals
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
0.3 0.3
3.5
±0.1
LL4148, LL4150, LL4151, LL4448
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Type
Typ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
Rev. recovery time 2)
Sperrverzugszeit 2)
VF [V] at/bei IF [mA] IR [nA] at/bei VR [V] trr [ns]
LL4148 < 1 10 < 25
< 5.000
< 50.000
20
75
20 (Tj = 150°C)
< 4
LL4150 0.54...0.62
0.66...0.74
0.76...0.86
0.82...0.92
8.87...1.00
1
10
50
100
200
< 100
< 100.000
50
50 (Tj = 150°C)
< 4
LL4151 < 1 50 < 50
< 50.000
50
50 (Tj = 150°C)
< 2
LL4448 0.62...0.72
< 1
5
100
< 20
< 5.000
< 50.000
25
75
20 (Tj = 150°C)
< 4
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 300 K/W 1)
2 IF = 10 mA through/über IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA, VR = 6 V, RL = 100 Ω
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminals
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
IFAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]TA150100500
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
T = 25°C
j
T = 125°C
j
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
