Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 3001 N 58 ... 68 T N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Tvj = -40C ... Tvj max f = 50Hz Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS forward current VRRM Tvj min = -40C 5800 6000 6500 6800 0C ...Tvj max 6000 6200 6700 7000 V V V V IFRMSM 6030 A 2820 A 3840 A Dauergrenzstrom mean forward current TC = 100C, f = 50Hz TC = 60C, f = 50Hz IFAVM Stostrom-Grenzwert surge forward current Tvj = 25C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms IFSM Grenzlastintegral 2 I t-value Tvj = 25C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms It Durchlaspannung forward voltage Tvj = Tvj max, iF = 4000A vF typ. 1,58 max. 1,7 V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max iF = 4000A V(TO) typ. 0,783 max. 0,84 V Ersatzwiderstand forward slope resistance Tvj = Tvj max rT typ. 0,201 max. 0,216 m Durchlarechenkennlinie 1500 A iF 4000 A On-state characteristics for calculation Tvj = Tvj max typ. 0,4075395 8,7875E-05 0,01730387 0,01080604 max. 0,442073 9,7148E-05 0,0187525 0,0113256 Sperrstrom reverse current Tvj = Tvj max, vR = VRRM iR Sperrverzogerungsladung recovered charge Tvj = Tvj max ITM = 1 kA, -di/dt = 10 A/s VR = 1000V, VRM = 1600V C = 1F, R = 22 Qr Ruckstromspitze peak reverse recovery current Tvj = Tvj max ITM = 1 kA, -di/dt = 10 A/s VR = 1000V, VRM = 1600V C = 1F, R = 22 IRM 57 kA 53 kA 2 6 2 16,24 *10 A s 6 2 14,04 *10 A s Charakteristische Werte / Characteristic values A B C D VF = A + B i F + C ln(i F + 1) + D i F BIP AC /2002-05-31 Schneider / Keller Release 5 100 mA 11 mAs 300 A Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 3001 N 58 ... 68 T N Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided RthJC RthCK max max max 0,0085 C/W 0,0149 C/W 0,0196 C/W max max 0,0025 C/W 0,005 C/W Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 160 C Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+160 C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+160 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 Si - Element mit Druckkontakt Si - pellet with pressure contact 76DN68 Anprekraft clamping force F Gewicht weight G 36...52 kN typ 1700 g Kriechstrecke creepage distance 40 mm Luftstrecke air distance 30 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz C 50 m/s 2 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC /2002-05-31 Schneider / Keller Release 5 Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 3001 N 58 ... 68 T N Mabild /Outline 120 -3.0 C +0.5 35 A 2 center holes 3.5 x 4.5 75 BIP AC /2002-05-31 Schneider / Keller Release 5 Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 3001 N 58 ... 68 T N Durchlakennlinie / On-State Characteristics iF = f( v F ) Limiting and typical on-state characteristic 5000 4500 4000 3500 Tvj = 160C typ. Tvj = 160C max. iF [A] 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 vF [V] BIP AC /2002-05-31 Schneider / Keller Release 5 Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 3001 N 58 ... 68 T N Transienter innerer Warmewiderstand Transient thermal impedance Z(th) JC = f (t) Z thJC = Double side cooled r [K/W] n m ax n =1 R thn (1 - e - t / n ) Cathode side cooled [s] r [K/W] Anode side cooled [s] r [K/W] [s] 1 0,00321 1,47207 0,01438 7,72917 0,00926 7,78435 2 0,00279 0,18563 -0,00013 1,20471 0,00025 0,66320 3 0,00159 0,04885 0,00324 0,18047 0,00371 0,14870 4 0,00076 0,00706 0,00136 0,04084 0,00101 0,02443 5 0,00018 0,00202 0,00074 0,00658 0,00065 0,0085 - 0,0196 - 0,0149 0,00484 - Zth = f (t) without heat sink 0,025 both side cathode side 0,015 0,01 0,005 0,001 0,01 0,1 1 10 0 100 t / [sec.] BIP AC /2002-05-31 Schneider / Keller Release 5 Seite/page 5 Z (th) JC / [K/W] 0,02 anode side Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 3001 N 58 ... 68 T N Stostrom / Grenzlastintegral Charakteristik Surge Current / I2t value Characteristics I FSM = f ( tp ) / i2 dt = f ( tp ) 1,E+08 1,E+05 1,E+07 1,E+04 1,E+06 100 0,1 1 10 ----- idt / [As] 1,E+06 _____ IFSM / [A] Sine half-wave, T vj =160 C , v R = 0 Time / [ms] BIP AC /2002-05-31 Schneider / Keller Release 5 Seite/page 6 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 3001 N 58 ... 68 T N Sperrverzogerungsladung / recovered charge Qr = f ( - di/dt ) Tvj = 160C, ITM = 1000A,vR = 1000V, vRM = 1600V, C = 1F, R = 22 50 40 30 20 10 9 8 Q r [m A s ] 7 6 5 4 3 2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 30 - d i/ d t [A / s ] BIP AC /2002-05-31 Schneider / Keller Release 5 Seite/page 7 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 3001 N 58 ... 68 T N Ruckstromspitze / reverse recovery current IRM = f (-di/dt) Tvj = 160C, ITM = 1000A, vR = 1000V, vRM = 1600V, C = 1F, R = 22 400 350 300 IRM [A] 250 200 150 100 50 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 -di/dt [A/s] BIP AC /2002-05-31 Schneider / Keller Release 5 Seite/page 8