BC807 ... BC808
BC807 ... BC808
SMD General Purpose PNP Transistors
SMD Universal-PNP-Transistoren
IC= -800 mA
hFE ~ 160/250/400
Tjmax = 150°C
VCES = -30 ...-50 V
Ptot = 310 mW
Version 2017-01-19
SOT-23
(TO-236)
1 = B 2 = E 3 = C
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Type
Code
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
BC807-16 = 5A or 5CR
BC807-25 = 5B or 5CS
BC807-40 = 5C or 5CT
BC808-16 = 5E or 5CR
BC808-25 = 5F or 5CS
BC808-40 = 5G or 5CT
BC817, BC818
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
BC807 BC808
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short - VCES 50 V 30 V
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 45 V 25 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 5 V
Power dissipation – Verlustleistung Ptot 310 mW 3)
Collector current – Kollektorstrom (dc) - IC800 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - ICM 1 A
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom - IBM 200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
2.4
1.3
±0.1
1.1
+0.1
0.4
+0.1
2.9
±0.1
12
3
Type
Code
1.9
±0.1
-0.05
-0.2
±0.2
BC807 ... BC808
Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 1)
- VCE = 1 V, - IC = 100 mA
Group -16
Group -25
Group -40
hFE
100
160
250
–
–
–
250
400
630
- VCE = 1 V, - IC = 500 mA hFE 40 – –
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 2)
- IC = 500 mA, - IB = 50 mA - VCEsat – – 0.7 V
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung 2)
- IC = 500 mA, - IB = 50 mA - VBEsat – – 1.3 V
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 2)
- VCE = 1 V, - IC = 500 mA - VBE – – 1.2 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
- VCB = 20 V, (E open)
- VCB = 20 V, Tj = 125°C, (E open) - ICB0
–
–
–
–
100 nA
5 µA
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
- VEB = 4 V, (C open) - IEB0 – – 100 nA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- VCE = 5 V, - IC = 10 mA, f = 50 MHz fT– 100 MHz –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
- VCB = 10 V, - IE =ie = 0, f = 1 MHz CCBO – 12 pF –
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 420 K/W 2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
