DIODES DE REDRESSEMENT rece on diodes VRWM TYPES IF lo VRRM lFRM 'Fsm VEM IR Boitier 7 10 ms @lem Case R (A) (A) (v) (a) (A) (Vv) (mA) GA / tease= 150C tiyjy= 175C Ft=200As IpM=20A baa 1N 1341 B, (R) 7 6 50 30 200 1,2 0,5 1N 1342 B, (R) 7 6 100 30 200 1,2 0,5 1N 1344 B, (R) 7 6 200 30 200 1,2 0,5 1N 1345 B, (R) 7 6 300 30 200 1,2 0,5 1N 1346 B, (R) 7 6 400 30 200 1,2 0,5 DO4 1N 1347 8, (R) 7 6 500 30 200 1,2 0,5 1N 1348 B, (R) 7 6 600 30 200 1,2 0,5 1N 3988 (R) 7 6 800 30 200 1,2 0,5 1N 3990 (R) 7 6 1000 30 200 1,2 0,5 GA / tease= 125C t(yjy= 150C = I? t= 200 As IpEM=20A ee G,P 506, (R) 6,8 6 50 25 200 1,2 3 G, P 1006, (R) 6.8 6 100 25 200 112 3 G, P 2006, (R) 6'8 6 200 25 200 1,2 3 G, P 3006, (R) 6'8 6 300 25 200 1,2 3 G, P 4006, (R) 6,8 6 400 25 200 1,2 3 DO 4 (G) G, P 5006, (R) 6,8 6 500 25 200 1,2 3 Sofa (P) G, P 6006, (R) 6.8 6 600 25 200 1,2 3 % G, P 8006, (R) 68 6 800 25 200 1,2 3 G, P 1106, (R) 6,8 6 1000 25 200 1,2 3 G, P 1206, (R} 6,8 6 1200 25 200 1,2 3 G, P 1506, (R} 68 6 1500 25 200 1,2 3 12A / tease = 125C t(yj) = 150C = I? t= 260 As IFM=35A | tease = 125C G,P 510,(R) 14 12 50 45 230 1,2 3 G, P 1010,(R)/FR 55A 14 12 100 45 230 1,2 3 G, P 2010,(R)/FR 56A 14 12 200 45 230 1,2 3 G, P 3010,(R) 14 12 300 45 230 1,2 3 G, P 4010,(R)/FR 57A 14 12 400 45 230 1,2 3 DO 4 (G) G, P 5010,(R) 14 12 500 45 230 1,2 3 $95a (P) G, P 6010,(R)/FR 58A 14 12 600 45 230 1,2 3 G, P 8010,(R)/FR 59 14 12 800 45 230 4,2 3 G, P 1110,(R)/FR 61 14 12 1000 45 230 1,2 3 G, P 1210,{R) 14 12 1200 45 230 1,2 3 oO - = 20A / tease = 125C tiyjy= 150C =? t= 1000 As IFM=70A | tease 150C RP 1020, (R) 24 20 100 90 450 1,5 5 RP 2020, (R) 24 20 200 90 450 1,5 5 RP 4020, (R) 24 20 400 90 450 1,5 5 DOs RP 6020, (R) 24 20 600 90 450 1,5 5 (RP) RP 8020, (R) 24 20 800 90 450 15 5 RP 1120, (R) 24 20 1000 90 450 1,5 5 RP 1220, (R) 24 20 1200 90 450 1,5 5 20A / tease = 150C tiyj)= 175C =I? t = 1000 A?s IpM=70A | case 150C 1N 2488, (R) 24 20 50 90 450 15 5 1N 2498, (R) 24 20 100 90 450 1,5 5 1N 2508, (R) 24 20 200 90 450 1,5 5 1N 1195 A, (R) 24 20 300 90 450 1,5 5 1N 1196 A, (R) 24 20 400 90 450 15 5 1N 1197 A, (R) 24 20 500 90 450 1,5 5 DO 5 1N 1198 A, (R) 24 20 600 90 450 1,5 5 RN820 , (R) 24 20 800 90 450 1,5 5 RN 1120. , (R) 24 20 1000 90 450 1,5 5 RN 1220 , (R) 24 20 1200 90 450 15 5 RN 1520 , (R) 24 20 1500 90 450 1,5 5 40A / tease= 140C tiyj)= 175C =I? t = 2500 As IFM = 110A =e Cc 1N 1183,(R) 1N 1183T,(R) 48 40 50 200 700 1,5 5 IN 1184,(R) 1N 1184T,(R) 48 40 100 200 700 1,5 5 1N 1186,(R} IN 1186T,(R) 48 40 200 200 700 1,5 5 1N 1187,(R) 1N 1187T,(R) 48 40 300 200 700 1,5 5 DO 5 1N 1188,(R) 1N 1188T,(R) 48 40 400 200 700 1,5 5 T 1N 1189,(R) 1N 1189T,(R) 48 40 500 200 700 1,5 5 1N 1190,(R) 1N 1190T,(R) 48 40 600 200 700 1,5 5 1N 3766,(R) 1N 3766T,(R} 48 40 800 200 700 1,5 5 1N 3768,(R) 1N 3768T,(R) 48 40 1000 200 700 1,5 5 n de type : cathode au boitier type number : cathode to case n de type + suffixe R : anode au boitier type number + suffix R : anode to case.