NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR 2 N 1420 TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL - LF amplification Amplification LF - Switching VceER 30V Commutation ho1E (150 mA) 100 - 300 fr 50 MHz min. Maximum power dissipation Case TO-39 See outline drawing CB-7 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier Voir dessin cot CB-7 dernidres pages Prot (Ww) ! 15 LEN ' ' (2) 1 t c E ' 1 m,_|(1) B 9.5 r XN (1) Tarpy(?C? N . (2) ToaselC! 9 1 Weight : 0,9 g. Collector is connected to case 0 50 100 150 200 Masse Le collecteur est reli au bottier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T = +25 C (Unless otherwise stated} VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires) Collector-base voltage Tension collecteur-base Vego 60 Vv Collector-emitter voltage , Tension collecteur-metteur Ree <10 2 Voer 30 Vv Emitter-base voltage Tension metteur-bese Veso 5 v Power dissipation Tamb= 28C (1) p 0,6 Ww Dissipation de puissance T = 25C (2) tot 2 w case Junction temperature . Temprature de jonction max. qj 175 c Storage temperature min. 65 c Temprature de stockage Tg +200 C 76-09 1/2 THOMSON-CSF 2N 1420 STATIC CHARACTERISTICS T =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb. (Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veep =30V cB A Ip =0 X Collector-base cut-off current leso Courant rsiduel collecteur-bese Vop = 30V le = 0 100 uA Tamb 150C Collector-base breakdown voltage Ig =0 Tension de claquage collecteur-base lo = 100A ViBR)CBO 60 Vv Collector-emitter breakdown voltage Ree = 102 * Tension de claquage collecteur-metteur Ig = 100mA ViBRICER 30 Vv Emitter-base breakdown voitage | = Tension de claquage metteur-base IE = 100 HA V(BR)EBO 5 Vv Static forward current transfer ratio Voge = 10V * Valeur statique du rapport de transfert h direct du courant lo = 150 mA 21 100 300 ; ; = 150 mA Collector-emitter saturation voltage Ic *x Tension de saturation collecteur-metteur | lz = 18 mA Vcesat 15 Vv . . l = 150 mA Base-emitter saturation voltage c * Tension de saturation bese-metteur lp = 15mA VBEsat 1,3 v DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Voce = 10V Transition frequency = Frquence de transition ' 50 mA fF 50 MHz f = 20 MHz }. Veep = 10V utput capacitance = Capacit de sortie Ip =0 C20b 35 pF f =1MHz * Pulsed tp =300 us <2% imputsions 2/2 136