N CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS - METAL CASE ViBR)Gss! 'Gss Ipss Yais Vesot | Citss|C12ss/"DSon} F / fF A min max min max min mox min max | max | max {| max | max Cose Types Application (pA) (Miz}* {v) {nA} (mA) {mS} (v} (pF) | (pF) | (9) | (dB) (Hz) 2N 3821 50 | 0,1 05 25/15 45 4 6] 3 5 10 2N 3822 AFIRF general 50 | 01 2 10 3 65 ~6 6] 3 5 10 2N 3823 U eee al 50 0,5 4 20 35 65 -8 2 2,5 100 IN 3824 soar ee 50 | 01 # | 6 | 3. | 250 2N 3966 50 | 0,) 2 4 6 3 1,5 | 250 2N 4117 40 |10 *| 0,03 0,09] 007 0,21|-06 ~ 1,8] 3 | 15 2N 4117 | Electrometry 40 | 1 */ 0,03 0,09] 007 0,21 ]/-06 1,8] 3 | 15 2N 4018 {very low tga} 40 |10 7) 0,08 0,24} 0,08 0,25|!-1 -3 3 | 15 2N 4118 A | Electromire 40 | 1 *| 0,08 0,24] 008 025|~1 3 3 | 15 2N 419 (tres foible igss) 40 | *} 02 06/061 033/-2 6 a] 15 Z 2N ANIA 4 |1*] 02 06/01 033/-2 6 3 | 15 1072 (CB-4) 2N 4220 30 Jor} o5 3 41 4 4 6) 2 [AE 2N 4220 A | AF/RF general 30 | 0,1 05 3 1 4 4 6} 2 25 100 | gov, 2N 4221 purpose 30 | 01 2 6 2 5 -6 6 | 2 2N 42214 | Usage gnral 30 | 0,1 2 6 2 5 -6 6 | 2 25 100 2N 4222 BF/HF 30 | 0,1 5 15 25 6 8 6 | 2 2N 4222 A 30 | 0,1 5 15 25 6 8 6 | 2 2.5 100 2N 4416 UHF/VHF 30 | 01 5 15 45 75 6 4 | 08 4 400 0 2N 4416.4 | amplification 35 | 0,1 5 15 45 75 |-25 6 4 | 09 4 400 2N 4091 40 | 0,2 | 30 -5 l0 | 16 | 5 30 2N 4091 A 50 |25 *| 30 ~5 lo | 16 | 5 30 2N 4092 Switching 40 | 0,2 | 15 2 -7 | 16 | 5 50 2N 4092 A | Commutation 50 {25 *| 15 2 ~7 | 6 | 5 50 2N 4093 4 | o2] 8 -1 -5 |] 6] 5 80 2N 4093 A 50 (2 *! 8 ~1 -5) 6] 5 80 2N 4391 ae 40 0,1 | 50 150 4 10 14 4 30 TO 18 Switching . (CB-6) 0 2N 4392 J 40 | 0,1 | 25 75 2 -5 | 4 | 4 60 0 2N 4393 Commutation 40 | 01 5 30 05 -3 | 4 | 4 100 D G 8 2N 5432 ores ~25 | 02 | 150 ~4 10 | 30 | 15 5 2N 5433 Commutetion 25 | 0,2 | 100 3 9 | 30 | 15 7 2N 5434 (feibleT on} 25 | 0,2 | 30 ~1 4 7] 30 | 15 10 CNES qualified product 848 THOMSON SEMICONDUCTEURS