Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS25R12KE3 G Hochstzulassige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Tvj= 25C VCES 1200 V Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Tc= 80C Tc= 25C IC, nom IC 25 40 A A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tp= 1ms, Tc= 80C ICRM 50 A Gesamt Verlustleistung total power dissipation Tc= 25C; Transistor Ptot 145 W VGES +20 V IF 25 A IFRM 50 A It 170 As VISOL 2,5 kV Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current tp= 1ms Grenzlastintegral It value VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C Isolations Prufspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sattigungsspannung collector emitter saturation voltage IC= 25A, VGE= 15V, Tvj= 25C IC= 25A, VGE= 15V, Tvj= 125C min. typ. max. - 1,7 2,15 V - 2,0 - V VGE(th) 5,0 5,8 6,5 V VCEsat Gate Schwellenspannung gate threshold voltage IC= 1mA, VCE= VGE, Tvj= 25C Gateladung gate charge VGE= -15V...+15V QG - 0,24 - C Eingangskapazitat input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 1,8 - nF Ruckwirkungskapazitat reverse transfer capacitance f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,064 - nF Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25C ICES - - 5 mA Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C IGES - - 400 nA prepared by: MOD-D2; M. Munzer date of publication: 2002-09-03 approved: SM TM; Robert Severin revision: 3.0 1 (8) http://store.iiic.cc/ DB_FS25R12KE3 _G_3.0.xls 2002-09-03 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS25R12KE3 G Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter min. typ. max. - 0,09 - s - 0,09 - s - 0,03 - s - 0,05 - s - 0,42 - s - 0,52 - s - 0,07 - s - 0,09 - s Eon - 2,5 - mJ Eoff - 3,4 - mJ ISC - 100 - A LCE - 19 - nH RCC/EE - 2,5 - m - 1,65 2,15 V - 1,65 - V - 33 - A - 35 - A - 2,6 - C - 4,9 - C - 1,1 - mJ - 2,1 - mJ IC= 25A, VCC= 600V Einschaltverzogerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 36, Tvj= 25C td,on VGE= 15V, RG= 36, Tvj= 125C IC= 25A, VCC= 600V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= 15V, RG= 36, Tvj= 25C tr VGE= 15V, RG= 36, Tvj= 125C IC= 25A, VCC= 600V Abschaltverzogerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 36, Tvj= 25C td,off VGE= 15V, RG= 36, Tvj= 125C IC= 25A, VCC= 600V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) VGE= 15V, RG= 36, Tvj= 25C tf VGE= 15V, RG= 36, Tvj= 125C Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse IC= 25A, VCC= 600V, L= 70nH Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse IC= 25A, VCC= 600V, L= 70nH Kurzschlussverhalten SC data tP 10s, VGE 15V, TVj 125C VGE= 15V, RG= 36, Tvj= 125C VGE= 15V, RG= 36, Tvj= 125C VCC= 900V, VCEmax= VCES - LCE *di/dt Modulinduktivitat stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Tc= 25C Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage Ruckstromspitze peak reverse recovery current IF= 25A, VGE= 0V, Tvj= 25C IF= 25A, VGE= 0V, Tvj= 125C VF IF= 25A, -diF/dt= 1100A/s VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C IRM VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C Sperrverzogerungsladung recovered charge IF= 25A, -diF/dt= 1100A/s VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C Qr VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF= 25A, -diF/dt= 1100A/s VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C 2 (8) http://store.iiic.cc/ Erec DB_FS25R12KE3 _G_3.0.xls 2002-09-03 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS25R12KE3 G Charakteristische Werte / characteristic values NTC-Widerstand / NTC-thermistor min. typ. max. R25 - 5 - k R/R -5 - 5 % P25 - - 20 mW B25/50 - 3375 - K - - 0,86 K/W - - 1,50 K/W RthCK - 0,02 - K/W Hochstzulassige Sperrschichttemp. maximum junction temperature Tvj max - - 150 C Betriebstemperatur operation temperature Tvj op -40 - 125 C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 C Nennwiderstand rated resistance Tc= 25C Abweichung von R100 deviation of R100 Tc= 100C, R100= 493 Verlustleistung power dissipation Tc= 25C B-Wert B-value R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] Thermische Eigenschaften / thermal properties Innerer Warmewiderstand; DC thermal resistance, junction to case; DC Transistor Wechelr. / transistor inverter Ubergangs Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module Paste= 1W/m*K / grease= 1W/m*K Diode Wechselrichter / diode inverter RthJC Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al2O3 Kriechstrecke creepage distance 10 mm Luftstrecke clearence distance 7,5 mm CTI comperative tracking index 225 Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque Schraube / screw M5 Gewicht weight M G 3 - 180 6 Nm g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. 3 (8) http://store.iiic.cc/ DB_FS25R12KE3 _G_3.0.xls 2002-09-03 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS25R12KE3 G Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical) IC= f(VCE) VGE= 15V 50 45 Tvj = 25C 40 Tvj = 125C 35 IC [A] 30 25 20 15 10 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) output characteristic (typical) IC= f(VCE) Tvj= 125C 50 IC [A] 45 VGE=19V 40 VGE=17V 35 VGE=15V 30 VGE=13V 25 VGE=11V VGE=9V 20 15 10 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4 (8) http://store.iiic.cc/ DB_FS25R12KE3 _G_3.0.xls 2002-09-03 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS25R12KE3 G Ubertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) IC= f(VGE) VCE= 20V 50 45 Tvj=25C 40 Tvj=125C 35 IC [A] 30 25 20 15 10 5 0 4 5 6 7 8 9 10 11 12 VGE [V] IF= f(VF) Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) forward caracteristic of inverse diode (typical) 50 45 Tvj = 25C 40 Tvj = 125C 35 IF [A] 30 25 20 15 10 5 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] 5 (8) http://store.iiic.cc/ DB_FS25R12KE3 _G_3.0.xls 2002-09-03 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS25R12KE3 G Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f(IC), Eoff = f(IC), Erec = f(IC) VGE=15V, RG= 36, VCE= 600V, Tvj= 125C 8 7 Eon 6 Eoff Erec E [mJ] 5 4 3 2 1 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=15V, IC= 25A, VCE= 600V, Tvj= 125C 8 Eon 7 Eoff Erec 6 E [mJ] 5 4 3 2 1 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 RG [] 6 (8) http://store.iiic.cc/ DB_FS25R12KE3 _G_3.0.xls 2002-09-03 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS25R12KE3 G Transienter Warmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) 10 ZthJC [K/W] 1 Zth : IGBT 0,1 Zth : Diode 0,01 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] i ri [K/W] : IGBT i [s] : IGBT ri [K/W] : Diode i [s] : Diode 1 9,780E-02 2,345E-03 1,520E-01 3,333E-03 3 3,905E-01 2,820E-02 2,830E-01 1,294E-01 2 1,519E-01 2,820E-01 9,850E-01 3,429E-02 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 4 2,198E-01 1,128E-01 8,980E-02 7,662E-01 VGE=15V, RG=36, Tvj=125C 60 50 IC [A] 40 IC,Chip IC,Modul 30 20 10 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 7 (8) http://store.iiic.cc/ DB_FS25R12KE3 _G_3.0.xls 2002-09-03 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS25R12KE3 G Gehausemae / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8 (8) http://store.iiic.cc/ DB_FS25R12KE3 _G_3.0.xls 2002-09-03 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fur technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes fur die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstandigkeit der bereitgestellten Produktdaten fur diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fur die wir eine liefervertragliche Gewahrleistung ubernehmen. Eine solche Gewahrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fur das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls ubernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benotigen, die uber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Fur Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen konnte unser Produkt gesundheitsgefahrdende Substanzen enthalten. Bei Ruckfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefahrdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fur diese Falle - die gemeinsame Durchfuhrung eines Risiko- und Qualitatsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitatssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einfuhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhangig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Anderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. 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