Semiconductor Components Industries, LLC, 2003
August, 2003 − Rev. 5 1Publication Order Number:
BD241C/D
BD241C* (NPN),
BD242B (PNP),
BD242C* (PNP)
*Preferred Devices
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
Designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
•Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
•Collector−Emitter Sustaining Voltage −
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) BD241C, BD242C
•High Current Gain − Bandwidth Product
fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
•Compact TO−220 AB Package
•Epoxy Meets UL94, V−0 @ 0.125 in.
•ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V
Machine Model, C 400 V
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
BD242B
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
BD241C
BD242C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCES
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
90
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
115
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter−Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
Continuous
Peak
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
3.0
5.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @
TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
40
0.32
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage
Junction Temperature
Range
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJA
ÎÎÎ
ÎÎÎ
62.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJC
ÎÎÎ
ÎÎÎ
3.125
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C/W
Device Package Shipping
ORDERING INFORMATION
BD241C TO−220AB
TO−220AB
CASE 221A
STYLE 1
50 Units/Rail
3
1
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
3 AMPERES
80, 100 VOLTS
40 WATTS
2
MARKING
DIAGRAM
xxx = Specific Device Code:
241C, 242B, 242C
A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week
http://onsemi.com
BD242B TO−220AB 50 Units/Rail
AYWW
BDxxx
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
BD242C TO−220AB 50 Units/Rail
BD241C* (NPN), BD242B (PNP), BD242C* (PNP)
http://onsemi.com
2
40
30
20
10
00 20 40 60 80 100 120 140 160
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
BD241C* (NPN), BD242B (PNP), BD242C* (PNP)
http://onsemi.com
3
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1)
(IC = 30 mAdc, IB = 0) BD242B
BD241C, BD242C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
80
100
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) BD242B
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) BD241C, BD242C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.3
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 80 Vdc, VEB = 0) BD242B
(VCE = 100 Vdc, VEB = 0) BD241C, BD242C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICES
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
200
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (Note 1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
25
10
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Saturation Voltage
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.6 Adc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.2
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter On Voltage
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.8
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current Gain − Bandwidth Product (Note 2)
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
3.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small−Signal Current Gain
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
20
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
1. Pulse Test: Pulse Width 300 s, Duty Cycle 2.0%.
2. fT = |hfe| • ftest.
2.0
0.03
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t, TIME (s)µ
1.0
0.7
0.5
0.3
0.1
0.07
0.02 0.05 0.1 0.3 0.5 0.7 1.0 3.0
td @ VBE(off) = 2.0 V
IC/IB = 10
TJ = 25°C
tr @ VCC = 30 V
tr @ VCC = 10 V
0.07
0.03
0.05
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit Figure 3. Turn−On Time
APPROX
+ 11 V
TURN-ON PULSE
Vin 0
t1
VEB(off)
APPROX − 9.0 V
TURN-OFF PULSE
Vin
t3
t2
APPROX
+ 11 V
VCC
SCOPE
RK
CjdCeb
− 4.0 V
t1 7.0 ns
100 t2 500 µs
t3 15 ns
DUTY CYCLE 2.0%
Vin
RL
BD241C* (NPN), BD242B (PNP), BD242C* (PNP)
http://onsemi.com
4
Figure 4. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
0.01
0.01
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 1.0 k500
ZθJC (t) = r(t) RθJC
RθJC = 3.125°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) − TC = P(pk) ZθJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.02
0.01 SINGLE PULSE
0.1
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
(NORMALIZED)
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS
)
SECOND BREAKDOWN
LIMITED @ TJ 150°C
THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C
BONDING WIRE LIMITED
CURVES APPLY BELOW
RATED VCEO
10
5.0
Figure 5. Active Region Safe Operating Area
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
1.0
0.1 10 20 50 100
BD241C, BD242C
5.0 ms
100 µs
1.0 ms
0.2
2.0
0.5
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC − VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
150C, TJ(pk) may be calculated from the data in
Figure 4. A t high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
3.0
0.03
Figure 6. Turn−Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
tf @ VCC = 30 V
t, TIME (s)µ
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 3.0
tf @ VCC = 10 V
IB1 = IB2
IC/IB = 10
ts′ = ts − 1/8 tf
TJ = 25°C
ts′
0.3 0.7
0.07
0.7
300
0.1
Figure 7. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
30 1.0 2.0 3.0 5.0 20 30 40100.2 0.3 0.5
CAPACITANCE (pF)
200
100
70
50
TJ = + 25°C
Ceb
Ccb
BD241C* (NPN), BD242B (PNP), BD242C* (PNP)
http://onsemi.com
5
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
500
0.03
5.0
0.05 0.07 0.1 0.3 0.5 1.0 3.0
100
50
30
10
300
70
TJ = 150°C
25°C
−55 °C
VCE = 2.0 V
0.7
7.0
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
0.003
Figure 9. Collector Saturation Region
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.01 0.020.03 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 3.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0
1.0
Figure 10. “On” Voltages
IB, BASE CURRENT (mA)
02.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000
1.6
1.2
0.8
0.4
IC = 0.3 A
TJ = 25°C
1.0 A 3.0 A
hFE, DC CURRENT GAIN
+2.5
0.003
Figure 11. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.3 1.0 2.0 3.0
V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/ C)°θ
+2.0
+1.5
+0.5
0
−0.5
−1.0
−1.5
−2.0
−2.5
θVB FOR VBE
*θVC FOR VCE(sat)
*APPLIES FOR IC/IB ≤5.0
TJ = − 65°C TO + 150°C
103
−0.4
Figure 12. Collector Cut−Off Region
VBE, BASE−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
102
101
100
10−1
, COLLECTOR CURRENT (A)µIC
10− 2
10− 3
−0.3 −0.2 −0.1 0 +0.1 +0.2 +0.3 +0.4 +0.5 +0.6
VCE = 30 V
TJ = 150°C
100°C
25°C
REVERSE FORWARD
ICES
107
Figure 13. Effects of Base−Emitter Resistance
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
20 40 60 80 100 120 140 160
106
105
104
103
102
RBE, EXTERNAL BASE−EMITTER RESISTANCE (OHMS)
VCE = 30 V
IC = 10 x ICES
IC ≈ICES
(TYPICAL ICES VALUES
OBTAINED FROM FIGURE 12)
0.005 0.30.05
1.2
1.0
VBE @ VCE = 2.0 V
+1.0
0.50.005
IC = 2 x ICES
BD241C* (NPN), BD242B (PNP), BD242C* (PNP)
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
TO−220AB
CASE 221A−09
ISSUE AA
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.570 0.620 14.48 15.75
B0.380 0.405 9.66 10.28
C0.160 0.190 4.07 4.82
D0.025 0.035 0.64 0.88
F0.142 0.147 3.61 3.73
G0.095 0.105 2.42 2.66
H0.110 0.155 2.80 3.93
J0.018 0.025 0.46 0.64
K0.500 0.562 12.70 14.27
L0.045 0.060 1.15 1.52
N0.190 0.210 4.83 5.33
Q0.100 0.120 2.54 3.04
R0.080 0.110 2.04 2.79
S0.045 0.055 1.15 1.39
T0.235 0.255 5.97 6.47
U0.000 0.050 0.00 1.27
V0.045 −−− 1.15 −−−
Z−−− 0.080 −−− 2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
123
4
D
SEATING
PLANE
−T−
C
S
T
U
R
J
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make
changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any
particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all
liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051
Phone: 81−3−5773−3850
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
BD241C/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303−675−2176 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada
Email: orderlit@onsemi.com
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada
