BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06
BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06
SMD Small Signal Schottky Diodes
SMD Kleinsignal-Dioden
IFAV = 200 mA
VF1 < 0.38 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 40 V
IFSM = 600 mA
trr < 5 ns
Version 2017-01-25
SOT-23
(TO-236)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing, High-speed
switching, Polarity protection
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Verpolschutz
Standardausführung 1)
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschicht-Kapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Single
Diode
BAS40
1 = A 2 = n. c. 3 = C
Type
Code
43
Series
Connection
BAS40-04
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
Type
Code
44
Common
Cathode
BAS40-05
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
Type
Code
45
Common
Anode
BAS40-06
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
Type
Code
46
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Power dissipation − Verlustleistung 3) Ptot 310 mW 4)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom DC IFAV 200 mA 4)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 4)
Non repetitive peak forward surge current – Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s IFSM 600 mA
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 40 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
3 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
4 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
2.4
1.3
±0.1
1.1
+0.1
0.4
+0.1
2.9
±0.1
12
3
Type
Code
1.9
±0.1
-0.05
-0.2
±0.2
21
3
2
3
1
21
3
21
3
BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 mA
IF = 40 mA VF
< 380 mV
< 1000 mV
Leakage current
Sperrstrom Tj = 25°C VR = 30 V IR< 200 nA 1)
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung Tj = 25°C IR = 10 µA VBR > 40 V 1)
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT< 5 pF
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 10 mA über/through
IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 5 ns
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 400 K/W 2)
2
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ ©
[%]
P
tot
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
120
100
80
20
00 150
50 100
T
A
[°C]
60
40
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
