ES1A ... ES1J
ES1A ... ES1J
Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes
Superschnelle SMD-Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad
IFAV = 1 A
VF< 0.92...1.7 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 50...600 V
IFSM = 30/33 A
trr < 15...35 ns
Version 2020-01-27
SMA
~ DO-214AC
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Rectification of higher frequencies
High efficient switching stages
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1)
Features
Extremely low reverse recovery time
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Extrem niedrige Sperrverzugszeit
Niedrige Fluss-Spannung
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 7500 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.07 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
DC blocking voltage
Sperrgleichspannung
VDC [V] 3)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
ES1A 50 50
ES1B/-Q 100 100
ES1C 150 150
ES1D/-Q 200 200
ES1F 300 300
ES1G 400 400
ES1J/-AQ 480 600 600
Average forward current
Dauergrenzstrom TT = 100°C IFAV 1 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TT = 100°C IFRM 6 A
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM
30 A
33 A
Rating for fusing
Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 4.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Defined for -AQ parts only – Nur definiert für -AQ Bauteile
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Type
Typ
0.15
+ 0.1
1.1
± 0.3
4.5
± 0.3
1.5
±0.1
2.1
± 0.2
2.2
± 0.2
5
± 0.2
2.7
± 0.2
ES1A ... ES1J
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Tj = 25°C
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] at / bei IF [A]
ES1A, ES1B/-Q...ES1D/-Q < 15 < 0.92 1
ES1F...ES1G < 25 < 1.3 1
ES1J/-AQ < 35 < 1.7 1
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C VR = VRRM IR
< 5 µA
< 100 µA
Typ. thermal resistance junction to ambient – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
Typ. thermal resistance junction to terminal – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
RthA
RthT
70 K/W 2)
30 K/W
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
A
150100
50
0
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[V]V
F
10
1
0.1
10
10
-2
-3
ES1A...D
T = 25°C
j
ES1F...G
ES1J
10
1
10
10
10
-1
-2
-3
[µA]
I
R
0V
RRM
40 60 100
[%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
T = 25°C
j
T = 125°C
j
T = 85°C
j
[pF]
[V]
C
j
V
R
T = 25°C
j
f = 1.0 MHz
Junction capacitance vs. reverse voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.)
